01684nbm0a2200337 450 BNI00171642007101610273720IT2006-4904TTD200720070320d2005 |||y0itay50 baitaITm 00|||Modellistica ed applicazioni circuitali di dispositivi ad effetto tunnel su fosfuro di indiotesi di Matteo Camprinicoordinatore del corso di dottorato: G. Manestutore: G. Frosali2005.1 v.In testa al front.: Università degli studi di Firenze, Facoltà di ingegneria, Dipartimento di elettronica e telecomunicazioni, dottorato di ricerca in dispositivi e circuiti elettronici, 16. ciclo621.38121INGEGNERIA ELETTRONICAING-INF/01ElettronicaCamprini, MatteoBNIV025767Manes, GianfrancoBNIV015787Frosali, GiovanniCFIV133198Università degli studi <Firenze> : Dipartimento di elettronica e telecomunicazioniBNIV005768Università degli studi <Firenze> : Facoltà di ingegneria : Dipartimento di elettronica e telecomunicazioniBNIV005769Università degli studi <Firenze> : Dipartimento di elettronica e telecomunicazioniITBNI20100111RICAdBibl. Nazionale Centrale FirenzeCFTDR 2005 05040CF9805050405 20160706TDR 2005 05040NBibl. Nazionale Centrale Di Firenze CFTDR 2005 05040 CFTVD980505040 L NOFORTE CFTDTD