02559nam0a22003493i 450 CFI075242920201210233526.0IT2010-1724T SBN20100626d2009 ||||0itac50 baengitz01i xxxe z01nModelling of nano nMOSFETs with alternative channel materials in the fully and quasi ballistic transport regimestesi di dottorato in cotutelaQuentin Rafhayrelatori: Luca Selmi, Gerard Ghibaudocoordinatore: Roberto Rinaldo[Udine2009]1 volumeillIn testa al frontespizio: Università degli studi di Udine, Dipartimento di ingegneria elettrica, gestionale e meccanica, dottorato in ingegneria industriale e dell'informazione, 22. ciclo, École doctorale EEATS-INPG GrenobleRafhay, QuentinCFIV254251Università degli studi di Udine : Dipartimento di ingegneria elettrica, gestionale e meccanicaCFIV254215École doctorale electronique, electrotechnique, automatique & traitement du signal <Grenoble>CFIV254254Università degli studi <Udine> : Facoltà di ingegneria : Dipartimento di ingegneria elettrica, gestionale e meccanicaCFIV254216Università degli studi di Udine : Dipartimento di ingegneria elettrica, gestionale e meccanicaUniversity <Udine> : Department of Electrical, Mechanical and Managerial EngineeringCFIV254220Università degli studi di Udine : Dipartimento di ingegneria elettrica, gestionale e meccanicaUniversità degli studi <Udine> : Dipartimento di ingegneria elettrica, gestionale e meccanicaCFIV263838Università degli studi di Udine : Dipartimento di ingegneria elettrica, gestionale e meccanicaInstitut national polytechnique <Grenoble> : École doctorale electronique, electrotechnique, automatique & traitement du signalCFIV254256École doctorale electronique, electrotechnique, automatique & traitement du signal <Grenoble>INPG : École doctorale EEATSCFIV254257École doctorale electronique, electrotechnique, automatique & traitement du signal <Grenoble>ITIT-FI009820100626IT-FI0098 Bibl. Nazionale Centrale Di Firenze CFTDR 100 978CFTD 000004946 L VMB TDR 100 009782010062620100626 CFBKBK