LDR 01766nbm0a2200349 450 001 BNI0011550 005 2007020611155100 020 $aIT$b2005-6160T 049 $aTD2007 100 $a20060626d2004 |||y0itay50 ba 101 | $aeng 102 $aIT 105 $am 00||| 200 1 $a5-GHZ monolithc down-converters in silicon bipolar technology$etesi di dottorato$fEgidio Ragonese$gtutor: G. Palmisano$gcoordinatore: L. Fortuna 210 $d2004. 215 $a1 v. 300 $aA. a. 2001-02 300 $aIn testa al front.: Università degli studi di Catania, Facoltà di ingegneria, Dipartimento di ingegneria elettrica elettronica e dei sistemi, dottorato di ricerca in ingegneria elettronica ed automatica, 15. ciclo 676 $a621.381$v21$9INGEGNERIA ELETTRONICA 689 $aING-INF/01$9Elettronica 700 1$aRagonese$b, Egidio$3BNIV017969 702 1$aPalmisano$b, Giuseppe$f <1956- >$3BNIV017965 702 1$aFortuna$b, Luigi$f <1953- >$3CFIV069248 712 02$aUniversità degli studi$c <Catania>$b : Dipartimento di ingegneria elettrica, elettronica e dei sistemi$3BNIV017964 719 02$aUniversità degli studi$c <Catania>$b : Facoltà di ingegneria $b: Dipartimento di ingegneria elettrica, elettronica e dei sistemi$3BNIV017967$zUniversità degli studi <Catania> : Dipartimento di ingegneria elettrica, elettronica e dei sistemi 801 0$aIT$bBNI$c20100111$gRICA 802 $ad 950 0$aBibl. Nazionale Centrale Firenze$dCFTDR 2004 06389$eCF9804063895 20160705$fTDR 2004 06389$hN 960 0$aBibl. Nazionale Centrale Di Firenze$d CFTDR 2004 06389 $eCFTVD980406389 L $sNOFORTE 977 $a CF FMT $aTD FOR $aTD