Role of lattice defects on the electrical activation and diffusion of arsenic and boron in silicon : dottorato di ricerca in ingegneria dei materiali, 18. ciclo / Matteo Ferri ; relatore: Agostino Desalvo ; coordinatore: Carlo Palmonari ; correlatori: Dario Nobili, Sandro Solmi
2006.
1 v.
In testa al front.: Università degli studi di Bologna, Facoltà di ingegneria, Dipartimento di chimica applicata e scienze dei materiali
BN 2007-2777T
ING-IND/23 - Chimica fisica applicata


Tesi di dottorato. | Lingua: Inglese. | Paese: IT. | BID: BNI0021517
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